Osnovni problem prilikom primene snažnih prekidačkih MOSFET-ova u RF pojačavačima je prisustvo velikih parazitnih kapacitivnosti između sve tri elektrode tranzistora. Parazitne kapacitivnosti znače i parazitne sprege od kojih je najneugodnija sprega između drejna (izlaz) i gejta (ulaz). Dodatno, strmina tih tranzistora je vrlo velika što otežava stabilan rad RF pojačavača u AB klasi.
Rešenje može biti u modifikaciji šeme veza dodavanjem spoljne sprege od pasivnih elemenata između drejna i gejta sa ciljem ublažavanja negativnih efekata prisutne parazitne kapacitivnosti između tih istih elektroda. Ovom dodatnom spregom smanjuje se i strmina MOSFET-ova.
MOSFET-ovi u izlazu, obe grane, moraju biti upareni jer u suprotnom zbog nejednakih struja drejnova feritni torus izlaznog transformatora lako ulazi u zasićenje sa svim negativnim posledicama takve pojave. Ovde može pomoći paralelno, preko prigušnica, privođenje jednosmernog napona napajanja na drejnove izlaznih tranzistora. Istovremeno, kondenzatorima u kolu drejnova obezbeđuje se da samo RF struje dolaze do primara izlaznog transformatora.
Otpornici u kolu sors elektroda obično nisu potrebni jer MOSFET-ovi sami, zbog negativnog temperaturnog koeficijenta strmine, ravnomerno raspodeljuju među sobom struju sorsa. Mada i ovde nije loše imati uparene paralelno vezane tranzistore.